銦

銦是由低至中等質量恆星中的s過程（慢中子捕獲）長期（可達數千年）產生的。當銀-109原子捕獲一個中子時，它會轉變為銀-110，然後經過β衰變成為鎘-110。進一步捕獲中子，它成為鎘-115，通過另一個β衰變成為銦-115。這解釋了為什麼放射性同位素比穩定同位素更豐富。穩定的銦同位素，即銦-113，是一個p-核，其來源尚不完全了解；儘管已知銦-113是直接在s-和r過程（快速中子捕獲）中生成的，也是壽命非常長的鎘-113的子代，其半衰期約為八千兆年，但這不能解釋所有的銦-113。銦是地殼中第68個最豐富的元素，含量約為50 ppb。這與銀、鉍和汞的地殼豐度相似。它很少形成自己的礦物，或以元素形式存在。目前已知的少於10種銦礦物，如銻砷銅礦（CuInS2），且都沒有經濟提取所需的足夠濃度。相反，銦通常是較常見礦物，如閃鋅礦和黃銅礦的微量成分。從這些礦物中，可以作為冶煉過程中的副產品提取銦。雖然這些礦藏中的銦含量相對於地殼豐度較高，但在當前價格下，不足以支持作為主要產品的銦提取。對其他金屬礦石中銦含量的估算存在不同數據。然而，這些量在不開採主礦物的情況下是不可提取的（見生產和可獲得性）。因此，銦的可獲得性根本上取決於這些礦石的開採速度，而不是其絕對含量。在目前的辯論中，例如耶魯大學的Graedel小組在其關鍵性評估中經常忽略這一方面，解釋了某些研究中提到的矛盾的低消耗時間。

1924年，人們發現銦具有穩定有色金屬的重要特性，成為銦的首要用途。第一次大規模應用是在第二次世界大戰期間，在高性能飛機的發動機中塗覆軸承，以防止損壞和腐蝕（已非現今主要用途）。人們在易熔合金、焊料和電子產品中發現銦的新用途。在1950年代，銦的微小珠子用於PNP合金結電晶體的發射極和集電極。在1980年代中後期，用於液晶顯示器（LCD）的磷化銦半導體和氧化銦錫（ITO）薄膜的發展引起人們的極大興趣。到1992年，薄膜應用已成為銦最大的用途。 氧化銦(III)和氧化銦錫（ITO）用作導電發光板中玻璃基板上的透明導電塗層。氧化銦錫用作低壓鈉蒸汽燈中的濾光器。紅外輻射被反射回燈中，可提高燈管內的溫度並改善燈的性能。 銦有許多與半導體相關的應用。一些銦化合物，如銻化銦和磷化銦，是有用的半導體。一種常用於半導體的銦化物是三甲基銦（TMI），三甲基銦也用作II-VI價化合物半導體中的半導體摻雜劑。 InAs和InSb用於低溫電晶體，InP用於高溫電晶體 。化合物半導體InGaN和InGaP用於發光二極體（LED）和雷射二極體。銦在光伏電池中作為半導體銅銦鎵硒半導體（CIGS），光伏電池也稱為CIGS太陽能電池（一種第二代薄膜太陽能電池）。銦用於含鍺的PNP雙極結電晶體，因為當在低溫下焊接時，銦不會對鍺產生影響。 銦絲在低溫和超高真空應用中用作真空密封和熱導體，例如作為填充間隙的墊圈 。銦是鎵–銦–錫合金中的一種成分，該合金在室溫下是液體，在某些溫度計中取代汞。其他銦與鉍、鎘、鉛和錫的合金，具有較高的熔點（仍然偏低，50至100°C），用於消防噴淋系統和熱調節器。 銦是鹼性電池中汞的一種替代品，可防止鋅腐蝕和氫氣產生。添加銦到一些牙科用汞合金中以降低汞的表面張力，節省汞合金用量並提高其融合性。 銦的高度補捉中子的典型特性適用於核反應爐的控制組，通常是80％銀、15％銦和5％鎘的合金。在核工程中，113In和115In的 (n,n') 反應用於確定中子通量的大小。